Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с применением фотолитографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания поставила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоев, формируемых с помощью EUV, увеличено до пяти. По словам производителя, это наиболее передовой техпроцесс в отрасли.
Он обеспечивает максимальную на сегодняшний день плотность хранения, позволяя получить с одной пластины примерно на 20% больший объем памяти. Кроме того, 14-нанометровый техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с предыдущим поколением.
По словам Samsung, новая память поможет получить «беспрецедентные скорости» до 7,2 Гбит/с, более чем вдвое превышающие максимальную скорость DDR4, равную 3,2 Гбит/с.
Samsung планирует выпускать новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, запланировано увеличение плотности кристаллов до 24 Гбит.