2100 МБ/с для смартфонов. Samsung начала серийный выпуск скоростной флэш-памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства скоростных модулей флэш-памяти объёмом 512 ГБ  для смартфонов. Это первые в отрасли модули такого объёма для мобильных устройств, соответствующие требованиям спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.0.

2100 МБ/с для смартфонов. Samsung начала серийный выпуск скоростной флэш-памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ

Такая память вдвое быстрее прошлого поколения, изготовленного в соответствии со стандартом eUFS 2.1. Samsung подчёркивает, что она приносит на смартфоны скорости, ранее доступные только в ультратонких ноутбуках. 

Модули обеспечивают скорость последовательного чтения 2100 МБ/с, последовательной записи — 410 МБ/с,  максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 63 000 IOPS, а записи — 68 000 IOPS. По словам корейского производителя, это в 20 раз быстрее «обычных» microSD на операциях последовательного чтения, что позволяет передать со смартфона фильм в Full HD на компьютер за 3 секунды. А в операциях с произвольным доступом — в 630 раз быстрее microSD. 

Во второй половине года Samsung планирует выпуск аналогичных модулей объёмом 1 ТБ.