У Samsung готов 8-нм техпроцесс для радиочастотных микросхем

Компания Samsung Electronics представила технологию производства радиочастотных микросхем, основанную на 8-нанометровом техпроцессе. По словам производителя, это последнее дополнение к уже обширному портфелю радиочастотных решений, включая 28-нанометровую и 14-нанометровую технологические платформы. Южнокорейский гигант подсчитал, что с 2017 года он отгрузил более 500 млн радиочастотных микросхем для смартфонов премиум-класса, фактически заняв позицию лидера на этом рынке.

В нынешней разработке нашла применение новая архитектура Samsung RFeFET. Она позволила значительно улучшить радиочастотные характеристики при меньшем потреблении энергии. По сравнению с 14-нанометровым, 8-нанометровый техпроцесс обеспечивает повышение энергетической эффективности на 35% и уменьшение площади кристалла на 35%. По сути, RFeFET позволяет радиочастотным цепям «догнать» по масштабированию цифровые микросхемы.

Ожидается, что эта передовая технология позволит выпускать однокристальные решения, включающих все необходимое для построения многоканальных и многоантенных модулей 5G.  

У Samsung готов 8-нм техпроцесс для радиочастотных микросхем

 


Комментарии закрыты.